SCTW100N65G2AG دیتاشیت

SCTW100N65G2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCTW100N65G2AG
حجم فایل 429.497 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SCTW100N65G2AG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 18V
  • Vgs (Max): +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 520V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 420W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: HiP247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™

محصولات مشابه